دوره 5، شماره 2 - ( 3-1402 )                   جلد 5 شماره 2 صفحات 6-1 | برگشت به فهرست نسخه ها

‎ 10.47176/sjfst.5.2.1

XML English Abstract Print

Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Boomipour M, Khatibi A, Shokri B. Growth and Characterization of Tungsten Disulfide Monolayer Using Solution Precursor-Assisted Chemical Vapor Deposition Method. sjfst 2023; 5 (2) :1-6
URL: http://sjfst.srpub.org/article-6-194-fa.html
بومی پور مارال، خطیبی علی، شکوری بابک. رشد و خصوصیات تک لایه دی سولفید تنگستن با استفاده از روش رسوب شیمیایی بخار به کمک محلول. تحقیقات بنیادی علوم و تکنولوژی. 1402; 5 (2) :1-6

URL: http://sjfst.srpub.org/article-6-194-fa.html

رشد و خصوصیات تک لایه دی سولفید تنگستن با استفاده از روش رسوب شیمیایی بخار به کمک محلول
مارال بومی پور* ، علی خطیبی ، بابک شکوری
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید بهشتی، تهران، ایران
چکیده:   (426 مشاهده)
دی‌کالکوژنیدهای فلزات واسطه (TMDs) به دلیل خواص نوری و الکترونیکی منحصر به فرد خود توجه قابل توجهی را به خود جلب کرده‌اند و آنها را به عنوان نامزدهای امیدوارکننده‌ای برای دستگاه‌های مختلف الکترونیکی و نوری مانند سنسورها، ترانزیستورها و باتری‌ها قرار می‌دهند. با این حال، سنتز این مواد همیشه چالش هایی را به خصوص از نظر دستیابی به یکنواختی و کنترل بخار پیش ساز در طول فرآیند سنتز ایجاد کرده است. در این مطالعه، ما با استفاده از یک پیش ساز محلول به این چالش ها پرداختیم. این رویکرد ما را قادر می سازد تا با استفاده از روش رسوب بخار شیمیایی (CVD)، تکه های دی سولفید تنگستن با کیفیت بالا را روی بسترهای SiO2/Si پرورش دهیم. با بررسی و تنظیم پارامترهای مختلف رشد مانند دمای رشد، غلظت پیش ماده محلول و موقعیت بستر، شرایط رشد را با موفقیت بهینه کردیم. برای توصیف تک‌لایه‌ها، ما از طیف‌سنجی رامان و فوتولومینسانس (PL) استفاده کردیم.
واژه‌های کلیدی: دی کلکوژنیدهای فلزات واسطه، رسوب شیمیایی بخار، دی سولفید تنگستن
متن کامل [PDF 433 kb]   (201 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: شیمی فیزیکی و نظری
دریافت: 1402/1/22 | ویرایش نهایی: 1402/3/6 | پذیرش: 1402/3/15 | انتشار: 1402/4/4
فهرست منابع
1. K. S. Novoselov. et al. (2005), Two-dimensional atomic crystals. Proc. Natl. Acad. Sci., vol. 102, no. 30, p. 10451-10453, 2005. [DOI:10.1073/pnas.0502848102] [PMID] [PMCID]
2. X. Song, J. Hu, H. Zeng. (2013), Two-dimensional semiconductors: recent progress and future perspectives, J. Mater. Chem. C, vol. 1, no. 17, p. 2952-2969, 2013. [DOI:10.1039/c3tc00710c]
3. S. A. Han, R. Bhatia, S.-W. Kim. (2015), Synthesis, properties and potential applications of two-dimensional transition metal dichalcogenides," Nano Converg., vol. 2, no. 1, p. 1-14, 2015. [DOI:10.1186/s40580-015-0048-4]
4. R. Roldán, J. A. Silva‐Guillén, M. P. López‐Sancho, F. Guinea, E. Cappelluti, P. Ordejón. (2014), Electronic properties of single‐layer and multilayer transition metal dichalcogenides MX2 (M= Mo, W and X= S, Se), Ann. Phys., vol. 526, no. 9-10, pp. 347-357, 2014. [DOI:10.1002/andp.201400128]
ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA
ارسال پیام به نویسنده مسئول

بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.