en سنتز نیترید آلومینیوم (AlN) به کمک پلاسما، رویکردی مدرن و نوین <p style="text-align: justify;">اهمیت تولید مواد با خلوص بالا و اندازه‌دانه‌های ریز در صنعت را نمی‌توان نادیده گرفت؛ زیرا این مواد در کاربردهای مختلف از خواص و عملکرد برتری برخوردار هستند. نیترید آلومینیوم (AlN) یکی از این مواد است که توجه قابل‌توجهی را به خود جلب کرده است. نیترید آلومینیوم به دلیل رسانندگی حرارتی فوق‌العاده، عایق‌بودن الکتریکی، استحکام مکانیکی و پایداری شیمیایی بالا، نقش مهمی در کاربردهای فناوری پیشرفته، از جمله صنایع الکترونیک، هیت‌سینک‌ها، اپتوالکترونیک و نیمه‌رساناها ایفا می‌کند.</p> <p style="text-align: justify;">رسانندگی حرارتی بالای AlN برای دفع مؤثر گرما در تجهیزات الکترونیکی بسیار مهم است، در حالی که خاصیت عایق الکتریکی و ضریب انبساط حرارتی پایین آن، این ماده را برای کاربردهای نیمه‌رساناها ایده‌آل می‌سازد. در میان روش‌های متعدد موجود برای تولید این ماده، سنتز به کمک پلاسما به‌عنوان یک روش نوین و امیدبخش مطرح است. این روش با بهره‌گیری از فناوری پلاسما، گونه‌های فعال نیتروژن و محیط‌های با انرژی بالا را ایجاد می‌کند و از این طریق تشکیل AlN را تسهیل می‌نماید.</p> <p style="text-align: justify;">سنتز به کمک پلاسما از بازده بالایی برخوردار است و امکان تولید AlN را در دماهای پایین‌تر فراهم می‌کند، در حالی که اندازه دانه‌های ریز و خلوص بالای محصول حفظ می‌شود. سینتیک واکنش بهبودیافته، کاهش مصرف انرژی و کیفیت برتر محصول از جمله مزایای این روش هستند که سنتز به کمک پلاسما را به رویکردی آینده‌نگر و نویدبخش در زمینه سنتز مواد پیشرفته تبدیل می‌کنند.</p> <div style="text-align: justify;"></div> <div style="text-align: justify;">The importance of producing high-purity, fine-sized materials in the industry cannot be overstated, given their superior properties and performance across various applications. Aluminum nitride (AlN) is one such material that has garnered significant attention. Known for its exceptional thermal conductivity, electrical insulation, mechanical strength, and chemical stability, AlN plays a crucial role in high-tech applications such as electronics, heat sinks, optoelectronics, and semiconductors. Its thermal conductivity is essential for efficient heat dissipation in electronic devices, while its electrical insulation and low thermal expansion coefficient make it ideal for use in semiconductor applications. Among the numerous production methods available, plasma-assisted synthesis stands out as a novel and promising technique. This method leverages plasma technology to generate reactive nitrogen species and high-energy environments, facilitating the formation of AlN. Plasma-assisted synthesis is highly efficient, enabling the production of AlN at lower temperatures while maintaining fine grain size and high purity. The enhanced reaction kinetics, reduced energy consumption, and superior product quality associated with this technique make it a forward-thinking approach in advanced material synthesis.</div> نیترید آلومینیوم (AlN), سنتز به کمک پلاسما, رسانایی حرارتی, مواد پیشرفته, نیمه‌هادی‌ها. Aluminum Nitride (AlN), Plasma-Assisted Synthesis, Thermal Conductivity, Advanced Materials, Semiconductors. 1 8 http://sjfst.srpub.org/browse.php?a_code=A-10-1-74&slc_lang=en&sid=6 Amirhosein Arabpour شیما دیناروندنیا Amirhoseinarabpour.en@yahoo.com 1003194753284600917 0009-0006-2273-957X Yes ICT Research Institute (Iran Telecom Research Center), Tehran, Iran. پژوهشگاه ارتباطات و فناوری اطلاعات (مرکز تحقیقات مخابرات ایران)، تهران، ایران.