fa رشد و خصوصیات تک لایه دی سولفید تنگستن با استفاده از روش رسوب شیمیایی بخار به کمک محلول <div style="text-align: justify;">دی‌کالکوژنیدهای فلزات واسطه (TMDs) به دلیل خواص نوری و الکترونیکی منحصر به فرد خود توجه قابل توجهی را به خود جلب کرده‌اند و آنها را به عنوان نامزدهای امیدوارکننده‌ای برای دستگاه‌های مختلف الکترونیکی و نوری مانند سنسورها، ترانزیستورها و باتری‌ها قرار می‌دهند. با این حال، سنتز این مواد همیشه چالش هایی را به خصوص از نظر دستیابی به یکنواختی و کنترل بخار پیش ساز در طول فرآیند سنتز ایجاد کرده است. در این مطالعه، ما با استفاده از یک پیش ساز محلول به این چالش ها پرداختیم. این رویکرد ما را قادر می سازد تا با استفاده از روش رسوب بخار شیمیایی (CVD)، تکه های دی سولفید تنگستن با کیفیت بالا را روی بسترهای SiO2/Si پرورش دهیم. با بررسی و تنظیم پارامترهای مختلف رشد مانند دمای رشد، غلظت پیش ماده محلول و موقعیت بستر، شرایط رشد را با موفقیت بهینه کردیم. برای توصیف تک‌لایه‌ها، ما از طیف‌سنجی رامان و فوتولومینسانس (PL) استفاده کردیم.</div> <div style="text-align: justify;">Transition metal dichalcogenides (TMDs) have attracted significant attention due to their unique optical and electronic properties, positioning them as promising candidates for various electronic and optoelectronic devices such as sensors, transistors, and batteries. However, the synthesis of these materials has always posed challenges, particularly in terms of achieving uniformity and controlling the precursor vapor during the synthesis procedure. In this study, we addressed these challenges by utilizing a soluble precursor. This approach enabled us to grow high-quality, monolayer tungsten disulfide flakes on SiO2/Si substrates using the chemical vapor deposition (CVD) method. By examining and adjusting various growth parameters such as growth temperature, solution precursor concentration, and substrate position, we successfully optimized the growth conditions. To characterize the monolayer flakes, we employed Raman and photoluminescence (PL) spectroscopies.</div> دی کلکوژنیدهای فلزات واسطه, رسوب شیمیایی بخار, دی سولفید تنگستن transition metal dichalcogenides, chemical vapor deposition, tungsten disulfide. 1 6 http://sjfst.srpub.org/browse.php?a_code=A--1-31&slc_lang=fa&sid=6 Maral Boomipour مارال بومی پور Boomipour.m@gmail.com 1003194753284600675 1003194753284600675 Yes Department of Physics, Faculty of Science, Shahid Beheshti University, Tehran, Iran گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید بهشتی، تهران، ایران Ali Khatibi علی خطیبی 1003194753284600676 1003194753284600676 No Laser and Plasma Research Institute, Shahid Beheshti University, Tehran, Iran پژوهشکده لیزر و پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی، تهران، ایران Babak Shokri بابک شکوری 1003194753284600677 1003194753284600677 No Department of Physics, Faculty of Science, Shahid Beheshti University, Tehran, Iran. گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید بهشتی، تهران، ایران.